Samsung kündigt 32-GB-DDR5-DRAM-Test an

Samsung Electronics gab bekannt, dass es die weltweit erste 32-Gigabit-(Gb)-DDR5-DRAM-Lösung mit einem 12-Nanometer-(nm)-Herstellungsprozess entwickelt hat. Hier sind die Details zu Samsung, 32 GB DDR5 DRAM.

In der Pressemitteilung gibt Samsung an, dass dieser neue Prozess die Speicherkapazität im Eins-zu-eins-Paket mit den bestehenden 16-GB-Modulen verdoppeln wird, mit deren Massenproduktion das Unternehmen im Mai 2023 begonnen hat.

In der Erklärung des Unternehmens heißt es: „Bisher erforderten DDR5-128-GB-DRAM-Module, die mit 16-GB-DRAM hergestellt wurden, den Through Silicon Via (TSV)-Prozess. Durch die Verwendung des 32-GB-DRAM von Samsung kann das 128-GB-Modul jetzt jedoch ohne den TSV-Prozess hergestellt werden, wodurch der Stromverbrauch im Vergleich zu 128-GB-Modulen mit 16-GB-DRAM um etwa 10 % gesenkt wird. Dieser technologische Durchbruch macht es zur optimalen Lösung für Organisationen, die Wert auf Energieeffizienz legen, beispielsweise Informationszentren.“

Samsung fügt hinzu, dass diese neue Entwicklung in Zukunft zur Entwicklung von DRAM-Modulen mit bis zu 1 TB führen wird. Das Unternehmen plant, die neuen 32-GB-DRAM-Artefakte Informationszentren sowie anderen Unternehmen zur Verfügung zu stellen, die Anwendungen wie künstliche Intelligenz und Computing der nächsten Generation benötigen.

Die Massenproduktion des neuen 32-GB-DDR5-DRAM soll noch vor Ende 2023 beginnen. Samsung hat keine Preisinformationen für diese neuen Produkte veröffentlicht.

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